机译:具有局部缺陷的Ldd nMosfet的表面电势和阈值电压建模
机译:具有局部缺陷的LDDnMOSFET的表面电势和阈值电压建模
机译:与载流子注入引起的缺陷有关的LDD-nMOSFET的IV特性建模
机译:使用电荷分布和阈值电压偏移测量比较LDD表面沟道和掩埋沟道pMOS晶体管中的电荷俘获效应
机译:高压LDMOS晶体管基于可扩展的基于表面电势的紧凑模型
机译:fT高于460-GHz的50nm以下50nm nMOSFET的小信号性能和建模
机译:具有局部缺陷的LDD nmOsFET的表面电位和阈值电压建模